晶體三管正偏二次擊穿、熱阻抗測試系統(tǒng)�(chǎn)品簡介:
晶體三管正偏二次擊穿熱阻抗測試儀可測試型號中、大功率晶體管的二次擊穿電壓和熱阻抗參數(shù)。系�(tǒng)軟件基于微軟視窗系統(tǒng)的操作環(huán)�,使您輕松掌握測試�
本系�(tǒng)采用計算機自動控�,為用戶提供友好直觀的操作界面,測試�(shù)�(jù)處理方便,自動繪制PD(熱阻功率)曲線和二次擊穿曲�,并求兩曲線的交�,在該交點及其附近靠�(nèi)一點測試器件的熱阻值�
晶體三管正偏二次擊穿、熱阻抗測試系統(tǒng)功能特點�
1.正偏二次擊穿電壓測試可測試NPN型晶體三管,熱阻抗測試可測試型號�、大功率晶體管測試方法靈�、開��
2.靈活的M值測試,可控制測試過程中不測試M值而自行輸入M��
3.可定時測�,穩(wěn)�(tài)熱阻測試也可定特定時間內(nèi)大溫差測��
4.加熱電源可遙控也可手��
5.采用微機控制,基于Windows系統(tǒng)的控制軟�,具有友好的人機交互界面,窗口填表式編程,測試結果以表格及圖形曲線方式顯�,使您輕松掌握測試�
晶體三管正偏二次擊穿、熱阻抗測試系統(tǒng)�(guī)格參�(shù)�
加熱電壓源:0-300V 負載能力�3.5A,可根據(jù)用戶需要進行功率擴展,大�10A
加熱電流源IH�
電流量程 分辨� 精度
-250mA-250mA 122uA ±(610uA+2%set)
±(250mA~2.5)A 1.22mA ±(6.1mA+2%set)
±(2.5A~3.5)A 12.2mA ±(61mA+2%set)
測量電流源IM
電流量程�-250mA~250mA
� � 力:122uA
� 度:±(244uA+0.5%set)
VBE電壓表:
電壓量程 分辨� 精度
-312.5~312.5mV 152.5uV ±(1.22mV+1%Rdg)
±(312.5~625)mV 305uV ±(1.22mV+0.8%Rdg)
±(0.625~1.25)V 0.61mV ±(2.44mV+0.3%Rdg)
±(1.25~2.5)V 1.22mV ±(2.44mV+0.25%Rdg)
VCE電壓�
電壓量程 分辨� 精度
-8.125~8.125V 3.97 mV ±(7.94mV+0.25%Rdg)
±(8.125~16.25)V 7.94mV ±(15.88mV+0.25%Rdg)
±(16.25~32.5) V 15.88mV ±(31.76mV+0.25%Rdg)
±(32.5~65) V 31.76mV ±(63.52mV+0.25%Rdg)
±(65~130) V 63.52mV ±(127.04mV+0.25%Rdg)
±(260~300) V 127.04mV ±(254.08mV+0.25%Rdg)
加熱脈沖寬度
脈寬�1ms 2ms 5ms 10ms 20ms 50ms 100ms 200ms 500ms
1s 2s 5s 10s 20s 50s 100s 200s 500s 1000s 2000s 5000s
�1s以上的測試需要測試盒使用散熱器)
測量范圍�10℃~125�
� 度:±0.5�
�(huán)境溫度:10℃~35� 開機到測量M �,環(huán)境溫度變化應�±2℃以�(nèi)
� 照:應避免光線直射測試盒及主�
� 源:應避免測試盒及主機附近有較強熱源
相對濕度�≤80%(40�)
大氣壓力�86~106KPa
供電電壓�220V±10%
供電電流�50Hz±5%
額定功率�1.5KW
大尺寸:550×535×220mm
� 重:50kg
預熱時間�30分鐘 |