半導(dǎo)體分立器件測(cè)試儀�(chǎn)品簡(jiǎn)介:
該儀器充分吸收國(guó)外測(cè)試系�(tǒng)的特�(diǎn),采用了的嵌入式�(jì)算機(jī)和優(yōu)化結(jié)�(gòu)�16位并行A/D和D/A、多開爾文反�、小信號(hào)精密�(cè)試以及陣列開�(guān)�(jié)�(gòu),并選用材料制作。在系統(tǒng)�(shè)�(jì)、選��、制�、調(diào)�、校�(yàn)等諸多方面與�(xiàn)有同類系�(tǒng)相比均有較大,從而提高了系統(tǒng)的性能和��
其特�(diǎn)是側(cè)重于中小功率器件、測(cè)試品種覆蓋面�、測(cè)試精度高、電參數(shù)�(cè)�、速度�、有的重�(fù)性和性、很高的工作�(wěn)定性和�,很�(qiáng)的保�(hù)系統(tǒng)和被�(cè)器件保護(hù)能力。系�(tǒng)軟件功能、使用靈活方�、操作簡(jiǎn)單。系�(tǒng)軟件�(wěn)�、硬件故障率低,在實(shí)際測(cè)試應(yīng)用中�(xiàng)指標(biāo)真實(shí)�(dá)到手�(cè)要求�
系統(tǒng)采用方便易學(xué)的窗口菜單界面,在PC�(jī)窗口提示下,輸入被測(cè)器件的測(cè)試條�,測(cè)試人員即可輕松快捷地控制系統(tǒng),完成填表編程和開發(fā)�(cè)試程�、測(cè)試器件。操作人員具備計(jì)算機(jī)編程語言知識(shí),使用簡(jiǎn)捷方��3分鐘即可完成一種測(cè)試編�,編寫完成后輸入儀器即可測(cè)�。當(dāng)然還可以在儀器下直接�(jìn)行器件測(cè)試程序及條件的編�,方便靈�。系�(tǒng)和測(cè)試夾具均采用多開爾文�(jié)�(gòu),自�(dòng)�(bǔ)償系�(tǒng)�(nèi)部產(chǎn)生的壓降,情況下�(cè)試結(jié)果的精度和準(zhǔn)確性�
�(yōu)良的、低廉的�(jià)�、周到的服務(wù)使得該系�(tǒng)在市�(chǎng)具有好的�(jìng)�(zhēng)�(shí)力��
半導(dǎo)體分立器件測(cè)試儀特征�
1.采用脈沖法測(cè)試參�(shù)、脈寬可�300μS,國(guó)軍標(biāo)的規(guī)定采用嵌入式�(jì)算機(jī)控制,實(shí)�(xiàn)脫機(jī)�(yùn)�
2.16位并行D/A、A/D�(shè)�(jì),測(cè)試速度�、精度高
3.采用多開爾文,系�(tǒng)�(wěn)定性高,測(cè)試結(jié)果準(zhǔn)�
4.采用三保�(hù),系�(tǒng),對(duì)被測(cè)器件�
5.豐富的WINDOWS界面菜單編程和控制能力、方便的用戶信息文件、統(tǒng)�(jì)文件方式
6.晶體三管自動(dòng)NPN和PNP 判別能力,防止選�(cuò)類型
7.二管性自�(dòng)判別選擇,用戶測(cè)試二管不注意�
9.自檢/自校�(zhǔn)能力
10.�(cè)試系�(tǒng)需要的其它多種�(shù)�(jù)后處理能�
半導(dǎo)體分立器件測(cè)試儀參數(shù)�
主電壓:200V
主電流:10mA
�(cè)試速度:器件不同速度也不�
控制1電壓�20V
控制1電流�10A
控制2電壓�20V
控制2電流�1A
電壓分辨率:1mV
電流分辨率:1nA
試器件種�
�(cè)試功能加,可�(cè)試八類中、小功率的半�(dǎo)體分立器件:
二管
�(wěn)壓(齊納)二�
晶體管(NPN�/PNP型)
可控硅整流器(普通晶閘管�
雙向可控硅(雙向晶閘管)
MOS�(chǎng)效應(yīng)管(N-�/P-溝)
�(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(N-�/P-�,耗盡�/增強(qiáng)型)
光電耦合�
上述所列類別包括中、小功率半導(dǎo)體分立器件及其組成的陣列、組合、表貼器��
�(cè)試方法行�(yè)總規(guī)�、相�(yīng)的標(biāo)�(zhǔn)、器件測(cè)試標(biāo)�(zhǔn)�
提供上述器件�(cè)試所用的不同封裝形式的測(cè)試夾具和�(cè)試適配器�
可以定做陣列、組合封裝、表貼器件的�(cè)試夾��
幫助用戶開發(fā)器件的測(cè)試程��
漏電參數(shù):IR、ICBO、LCEO/S、IDSS、IDOFF、IDGO、ICES、IGESF、IEBO、IGSSF、LGSSR、IGSS、IR(OPTO)
擊穿參數(shù)� BVCEO BVCES(300μS Pulse above 10mA)
BVDSS、VD� BVCBO、VDRM、VRRM、VBB
BVR、VD+、VD-、BVDGO、BV Z、BVEBO、BVGSS
增益參數(shù):hFE、CTR、gFS
�(dǎo)通參�(shù):VCESAT、VBESAT、VBEON� VF、VON、VDSON、VDON、VGSON、VF(Opto-Diode) 、VGSTH、VTM、VSD、IDON、VSAT、IDSS、IDON
�(guān)斷參�(shù):VGSOFF
觸發(fā)參數(shù):IGT、VGT
保持參數(shù):IH
鎖定參數(shù):IL
混合參數(shù):rDSON、gFS
�(cè)試盒說明�
�(cè)試盒共有五種�
1.可測(cè)二管、穩(wěn)壓二��
2.可測(cè)封裝為TO-92、TO-220等三�(gè)管腳在一�(gè)平面上的三端器件�
3.可測(cè)封裝為TO-3及封裝為F1、F2、F3、F4三端器件�
4.可測(cè)三�(gè)管腳分三角形排列,且器件殼體為小圓型的小功率三端器件�
5.可測(cè)DIP4、DIP6、DIP8封裝的光電耦合��
半導(dǎo)體分立器件測(cè)試儀�(cè)試夾具:
�(cè)試夾具有三根夾子�,與�(cè)試盒1配合使用,用來測(cè)試器件形狀,不能使用上述五種測(cè)試盒上的插座,則使用此三�(gè)夾子線直接夾在器件的管腳上�(jìn)行測(cè)試�
半導(dǎo)體分立器件測(cè)試儀基本配置�
分立器件綜合參數(shù)�(cè)試儀 1�(tái)
常用�(cè)試夾� 5�(gè)
�(cè)試夾� 1�
半導(dǎo)體分立器件測(cè)試儀選用配置�
主控PC�(jī) 1�(tái)
其它�(cè)試夾� |