高頻光電�(dǎo)壽命測試儀功能簡介�
τ:10�6000μs�ρ�3Ω·cm ,配�(shù)字示波器;用于硅、鍺單晶的少�(shù)載流子壽命測�,除需要有一個測量平面外,對樣塊體形無嚴(yán)格要�,可測塊狀和片狀單晶壽命。壽命測量可靈敏地反映單晶體�(nèi)重金屬雜�(zhì)污染及缺陷存在的情況,是單晶�(zhì)的重要檢測項(xiàng)��
高頻光電�(dǎo)壽命測試儀�(shè)備組成:
1.光脈沖發(fā)生裝�:
重復(fù)頻率�>25�/s
� 寬:>60μ�
光脈沖關(guān)斷時間:�1μ�
紅外光源波長�1.06�1.09μm(測量硅單晶�
脈沖電流�5A�20A
如測量鍺單晶壽命需配置適當(dāng)波長的光�
2.高頻�:
� 率:30MHz低輸出阻�
輸出功率>1W
放大器和檢波�:
頻率響應(yīng)�2Hz�2MHz
3.配用示波器:
�(xué)校用高頻光電�(dǎo)少子壽命測試儀配用示波器:頻帶寬度不低�10MHz,Y軸增益及掃描速度均應(yīng)連續(xù)可調(diào)�
高頻光電�(dǎo)壽命測試儀測量范圍�
可測硅單晶的電阻率范圍:ρ≥0.1Ω·㎝(歐姆·厘米�
壽命值的測量范圍�5�6000μs(微秒� |