方阻儀簡介�
薄膜方塊電阻測試儀GB/T 1551-2009 《硅單晶電阻率測定方法》、GB/T 1551-1995《硅、鍺單晶電阻率測定直流兩探針法》、GB/T 1552-1995《硅、鍺單晶電阻率測定直流四探針法》并參考美國A.S.T.M 標準�
薄膜方塊電阻測試儀主要用來測量硅外延層、擴散層和離子注入層、導電玻璃(ITO)和其它導電薄膜的方塊電�。由電氣測量部份(簡稱:主機�、測試架、四探針頭及測量軟件組成。儀器采用四探針單電測量法適用于生產(chǎn)企業(yè)、高等院�、科研,是檢驗和分析導體材料和半導體材料的一種重要的工具。本儀器配置測量裝置可以測試不同材料。液晶顯�,人工計算,并帶有溫度補償功�,電阻率單位自動選擇,儀器自動測量并根據(jù)測試�(jié)果自動轉(zhuǎn)換量�,人工多次和重復�(shè)置。采用高精度AD芯片控制,恒流輸�,結(jié)�(gòu)合理、輕�,運�、使用方�;選配:配備軟件可以由電腦操�,并保存和打印數(shù)�(jù),自動生成報�;本儀器采�4.3吋大液晶屏幕顯示,同時顯示液晶顯示:電阻、電阻率、方阻、溫�、單位換�、溫度系�(shù)、電�、電�、探針形狀、探針間距、厚� 、電導率,配置不同的測試治具可以滿足不同材料的測試要��
方阻儀使用范圍�
適用于西門子法、硅烷法等生�(chǎn)原生多晶硅料的企�(yè)
薄膜方塊電阻測試儀適用于物理提純生�(chǎn)多晶硅料生產(chǎn)企業(yè)
適用于光伏拉晶鑄錠及 IC 半導體器件企�(yè)
適用于科�、高等院校及需要量程測量電阻率的企�(yè)
方阻儀特點�
可測方塊電阻:適合檢測硅芯,檢磷�,檢硼棒,籽晶等圓柱晶體�
適用于西門子法、硅烷法等生�(chǎn)原生多晶硅料的企�(yè)
適用于物理提純生�(chǎn)多晶硅料生產(chǎn)企業(yè)
適用于光伏拉晶鑄錠及 IC 半導體器件企�(yè)
適用于科研、高等院校及需要量程測量電阻率的企�(yè)
測試量程�,電阻率測試儀
主機配置�“小游移四探針�”了一起數(shù)�(jù)的準確�
儀器消除了珀爾帖效應、塞貝克效應、少子注入效應等負效應的影響,因此測試精度提�
測量精度�,除了具有厚度修正功能外、還有溫度修�、圓片直徑修正等功能
特的�(shè)計能消除測量引線和接觸電阻產(chǎn)生的誤差,測量的高精度和寬的量程范圍
雙數(shù)字表�(jié)�(gòu)使測量,操作簡便
具有的測試數(shù)�(jù)查詢及打印功�
測量系統(tǒng)可實�(xiàn)自動換向測量、求平均值、大�、小值、平均百分變化率�
四探針頭采用進口紅寶石軸套導向結(jié)�(gòu),使探針的游移率減小,測量重復性提�
采用進口元器�,留有大的系�(shù),提高了測試儀的性和使用壽命
測量電流采用高度�(wěn)定的特制恒流源(萬分之五精度�,不受氣候條件的影響
具有正測反測的功能,測試�(jié)果的準確�
具有抗強磁場和抗高頻�(shè)備的性能
方阻儀測量范圍�
10-5 ------1.9*105Ω?cm
10-4------1.9*104Ω?cm
可測硅棒尺寸� 大長�300mm;直�20mm(按用戶要求改)
輸出電流:DC0.001-100mA 五檔連續(xù)可調(diào) 測量范圍�0-199.99mV
� � 度: 10μA
輸入阻抗�1000ΩM
電阻測量誤差:檔均低�±0.05%
供電電源:AC 220V ±10% 50/60Hz.
推薦使用�(huán)境:溫度�23±2� 相對溫度�≤65% |