單晶P/N型號(hào)測試儀簡介�
儀器運(yùn)用了第四代集成電路設(shè)�(jì)、生�(chǎn)。儀器采用熱電法測量硅單晶型�(hào),配置了可自�(dòng)恒溫的熱探筆,并由液晶器件直接發(fā)顯示N、P�。對(duì)于電阻率小于1000Ω.cm的硅片、塊以準(zhǔn)確地鑒定出導(dǎo)電型�(hào)�
單晶P/N型號(hào)測試儀適用范圍�
適合檢測硅芯,檢磷棒,檢硼棒,籽晶等圓柱晶體��
適用于西門子法、硅烷法等生�(chǎn)原生多晶硅料的企�(yè)�
適用于物理提純生�(chǎn)多晶硅料生產(chǎn)企業(yè)�
適用于光伏拉晶鑄錠及 IC 半導(dǎo)體器件企�(yè)�
適用于科研、高等院校及需要量程測量電阻率的企�(yè)�
儀器消除了珀?duì)柼�?yīng)、塞貝克效應(yīng)、少子注入效�(yīng)等負(fù)效應(yīng)的影�,因此測試精度提高�
測量精度�,除了具有厚度修正功能外、還有溫度修�、圓片直徑修正等功能�
特的�(shè)�(jì)能消除測量引線和接觸電阻�(chǎn)生的誤差� 測量的高精度和寬的量程范��
雙數(shù)字表�(jié)�(gòu)使測�,操作簡��
具有的測試數(shù)�(jù)查詢及打印功��
測量系統(tǒng)可實(shí)�(xiàn)自動(dòng)換向測量、求平均�、大�、小�、平均百分變化率��
四探針頭采用�(jìn)口紅寶石軸套�(dǎo)向結(jié)�(gòu),使探針的游移率減小,測量重�(fù)性提��
采用�(jìn)口元器件,留有大的系�(shù),提高了測試儀的性和使用壽命�
測量電流采用高度�(wěn)定的特制恒流源(萬分之五精度�,不受氣候條件的影響�
具有正測反測的功�,測試結(jié)果的�(zhǔn)確��
具有抗強(qiáng)磁場和抗高頻�(shè)備的性能�
單晶P/N型號(hào)測試儀�(chǎn)品特�(diǎn)�
儀器消除了珀?duì)柼�?yīng)、塞貝克效應(yīng)、少子注入效�(yīng)等負(fù)效應(yīng)的影�,因此測試精度提�
測量精度�,除了具有厚度修正功能外、還有溫度修�、圓片直徑修正等功能
特的�(shè)�(jì)能消除測量引線和接觸電阻�(chǎn)生的誤差� 測量的高精度和寬的量程范�
雙數(shù)字表�(jié)�(gòu)使測�,操作簡�
具有的測試數(shù)�(jù)查詢及打印功�
測量系統(tǒng)可實(shí)�(xiàn)自動(dòng)換向測量、求平均�、大�、小�、平均百分變化率�
四探針頭采用�(jìn)口紅寶石軸套�(dǎo)向結(jié)�(gòu),使探針的游移率減小,測量重�(fù)性提�
采用�(jìn)口元器件,留有大的系�(shù),提高了測試儀的性和使用壽命
測量電流采用高度�(wěn)定的特制恒流源(萬分之五精度�,不受氣候條件的影響
具有正測反測的功�,測試結(jié)果的�(zhǔn)確�
具有抗強(qiáng)磁場和抗高頻�(shè)備的性能
單晶P/N型號(hào)測試儀參數(shù)�
測量范圍
鍺:近本征鍺≤103 Ω?cm �≤103 Ω?cm
顯示方式� 液晶直顯
� 耗:30W
供電電源:AC 220V ±10% 50/60Hz.
使用�(huán)境:溫度�23±2� 相對(duì)溫度�≤65% |